IPAW60R280P7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 720 руб.
от 2 шт. —
1 600 руб.
от 5 шт. —
1 500 руб.
от 7 шт. —
1 443.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 720 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание MOSFET транзистор PG-TO220-3
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 761pF @ 400V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 24W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Series | CoolMOSв(ў P7 |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.214Ом |
| Power Dissipation | 24Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 24Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.214Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IPAW60R280P7S SP001658180 |
| Pd - Power Dissipation: | 24 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 214 mOhms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 1.344 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1035 КБ
Datasheet IPAW60R280P7SXKSA1
pdf, 1094 КБ
Datasheet IPAW60R280P7SXKSA1
pdf, 1143 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
