IPN70R600P7SATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
179 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 700V, 8.5A, 6.9W, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; Drain Source Voltage Vds:700V; On Resistance Rds(on):0.49ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | PG-SOT223-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | IPN70R600P7S |
| Pd - Power Dissipation | 6.9 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 0.49 Ohms |
| Rise Time | 5.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS P7 |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 63 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 700 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.49Ом |
| Power Dissipation | 6.9Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Непрерывный Ток Стока | 8.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 6.9Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.49Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet IPN70R600P7SATMA1
pdf, 1001 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
