IKB20N65EH5ATMA1

Фото 1/2 IKB20N65EH5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 180 руб.
от 2 шт.1 060 руб.
от 5 шт.968 руб.
от 8 шт.928.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 180 руб.
Номенклатурный номер: 8001965321

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 25А, 62,5Вт, D2PAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Packaging Tape and Reel
Rad Hardened No
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 38А
Power Dissipation 125Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet IKB20N65EH5ATMA1
pdf, 1562 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов