IKB20N65EH5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 180 руб.
от 2 шт. —
1 060 руб.
от 5 шт. —
968 руб.
от 8 шт. —
928.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 180 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 25А, 62,5Вт, D2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Packaging | Tape and Reel |
Rad Hardened | No |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 38А |
Power Dissipation | 125Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet IKB20N65EH5ATMA1
pdf, 1562 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов