IRF2807Z

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

450 руб.

от 2 шт. — 350 руб.

от 5 шт. — 274 руб.

от 10 шт. — 238.14 руб.

1 шт. на сумму 450 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001973029

Электроэлемент

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 75В 89А [TO-220AB] Характеристики

RoHS Compliant	Yes
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	89 A
Maximum Drain Source Resistance	9.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	75 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	170 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	71 nC @ 10 V
Width	4.83mm
Вес, г	2.8