IRFS4229
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 090 руб.
от 2 шт. —
970 руб.
от 5 шт. —
878 руб.
от 10 шт. —
836.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 090 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 250V, 45A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Po
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 45 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 48@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 250 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 330000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -40~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 72 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 72@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4560@25V |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 319 КБ
Datasheet IRFS4229PBF
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
