VBP104FAS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
от 2 шт. —
260 руб.
от 3 шт. —
217 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Точечный ИК-фотодиод, 780-1050нм, Монтаж SMD, 65°, 65мВт
Технические параметры
Dark Current | 30(nA) |
Fall Time | 100(ns) |
Forward Voltage | 1.3(V) |
Light Current | 35(uA) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temp Range | -40C to 100C |
Operating Temperature Classification | Industrial |
Package Type | SMD |
Packaging | Tape and Reel |
Peak Wavelength | 950(nm) |
Photodiode Material | Si |
Photodiode Type | PIN |
Pin Count | 2 |
Polarity | Forward |
Power Dissipation | 0.215(W) |
Rad Hardened | No |
Reverse Breakdown Voltage | 60(V) |
Rise Time | 100(ns) |
Type | Chip |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.40.60.50 |
Package Height | 1.2 |
PCB changed | 2 |
Package Length | 4.4 |
Package Width | 3.9 |
Peak Wavelength (nm) | 950 |
Maximum Rise Time (ns) | 100(Typ) |
Maximum Fall Time (ns) | 100(Typ) |
Maximum Light Current (uA) | 35(Typ) |
Maximum Dark Current (nA) | 30 |
Maximum Forward Voltage (V) | 1.3 |
Maximum Reverse Voltage (V) | 60 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 215 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Standard Package Name | SMD |
Supplier Package | SMD |
If - прямой ток: | 50 ma |
Pd - рассеивание мощности: | 215 mw |
Vf - прямое напряжение: | 1 v |
Vr - обратное напряжение: | 60 v |
Вид монтажа: | smd/smt |
Время нарастания: | 100 ns |
Время спада: | 100 ns |
Категория продукта: | фотодиоды |
Максимальная рабочая температура: | +100 c |
Минимальная рабочая температура: | -40 c |
Пиковая длина волны: | 950 nm |
Подкатегория: | optical detectors and sensors |
Продукт: | pin photodiodes |
Производитель: | vishay |
Размер фабричной упаковки: | 1000 |
Темновой ток: | 2 na |
Тип продукта: | photodiodes |
Тип: | silicon pin photodiode |
Торговая марка: | vishay semiconductors |
Угол половинной интенсивности: | 65 deg |
Фототок: | 35 ua |
Чувствительный к влажности: | yes |
Эквивалентная мощность шума (NEP): | 4e-14 w/sqrt hz |
Amplifier Function | No |
Diode Material | Si |
Maximum Wavelength Detected | 1050nm |
Minimum Wavelength Detected | 780nm |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 2 |
Spectrums Detected | Infrared |
Wavelength of Peak Sensitivity | 950nm |
Width | 3.9mm |
Вес, г | 0.96 |
Техническая документация
Datasheet VBP104FAS
pdf, 172 КБ
Datasheet VBP104FAS
pdf, 186 КБ
Datasheet VBP104FAS
pdf, 154 КБ
Datasheet VBP104FAS
pdf, 421 КБ
Документация
pdf, 182 КБ