BUL39D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
177 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор NPN, биполярный, 450В, 4А, 70Вт, TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO | 800 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 450 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.1 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 4 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 4 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 9 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Height | 9.15 mm(Max) |
Length | 10.4 mm(Max) |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current | 4 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 70 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 500V Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 4.6 mm(Max) |
Collector Current (Ic) | 4A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 450V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.1V@2.5A, 500mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 40@5A, 10V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 70W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | - |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 189 КБ
Документация
pdf, 216 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.