BSC028N06LS3G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 руб.
от 2 шт. —
580 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Описание
Электроэлемент
Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 100А, 139Вт, PG-TDSON-8
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 19 ns |
| Forward Transconductance - Min | 60 S |
| Height | 1.27 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Length | 5.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GXT SP000453652 |
| Pd - Power Dissipation | 139 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 175 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 mOhms |
| Rise Time | 17 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 77 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 19 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Width | 5.15 mm |
| Product Type | MOSFET |
| Series | OptiMOS 3 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Вес, г | 0.1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
