MMBT5401
94 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
41 руб.
от 10 шт. —
24 руб.
от 100 шт. —
8.86 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 188 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANS, PNP, -150V, -0.6A, 0.31W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-150V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:50hFE; Tran
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | -160 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5 V |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 |
| DC Current Gain hFE Max | 240 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 0.2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23 |
| Packaging | Reel |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | MMBT5401 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 287 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
