IRFS4310Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
от 2 шт. —
860 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0048ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 127(A) |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | D2PAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 250(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 2.41 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 329 КБ
IRFS4310PBF datasheet
pdf, 370 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
