IRLZ24NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 2 шт. —
360 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 55V, 18A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power D
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 29 ns |
| Forward Transconductance - Min | 8.3 S |
| Height | 2.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 18 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 3.8 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 105 mOhms |
| Rise Time | 74 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.1 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Width | 6.22 mm |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet IRLZ24NSTRLPBF
pdf, 301 КБ
IRLZ24NSPBF Datasheet
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
