IRFS3607
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
от 2 шт. —
320 руб.
от 3 шт. —
277 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.00734ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260I300 |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| RDS-on | 9@10V mOhm |
| Typical Fall Time | 96 ns |
| Typical Rise Time | 110 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 43 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFB3607PBF
pdf, 326 КБ
Datasheet IRFS3607PBF
pdf, 436 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
