BUL58D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
99 руб.
от 10 шт. —
81 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 8А, 85Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Collector Current (DC) | 8(A) |
| Collector Current (DC) (Max) | 8 A |
| Collector-Base Voltage | 800(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 450(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 5 |
| DC Current Gain (Min) | 5 |
| Emitter-Base Voltage | 9(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-220AB |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Power Dissipation | 85(W) |
| Rad Hardened | No |
| Transistor Polarity | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 85000 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 5 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BUL58D |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Collector Base Voltage | 800 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Minimum DC Current Gain | 5 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 2.75 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 501 КБ
Datasheet BUL58D
pdf, 213 КБ
Datasheet BUL58D
pdf, 212 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
