IKP20N60TXKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 166Вт, TO220-3, одиночный транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
от 30 шт. —
394 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 руб.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 166Вт, TO220-3, одиночный транзистор Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C | 41 A |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Height | 9.25 mm |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IKP20N60TXKSA1 IKP2N6TXK SP000683066 |
| Pd - Power Dissipation | 166 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | TRENCHSTOP |
| Technology | Si |
| Tradename | TRENCHSTOP |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.4 mm |
| Case | TO220-3 |
| Collector current | 20A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 0.12µC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 166W |
| Pulsed collector current | 60A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Turn-off time | 299ns |
| Turn-on time | 36ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet IKP20N60TXKSA1
pdf, 499 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
