SPA20N60C3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
860 руб.
от 2 шт. —
740 руб.
от 5 шт. —
677 руб.
от 10 шт. —
645 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 860 руб.
Описание
Электроэлемент
SPA20N60 - CoolMOS, 20.7A, 600V, 0.19ohm, N-Channel, Power MOSFET
Технические параметры
Корпус | PG-TO220-3-FP |
Монтаж | THT |
Мощность | 34.5Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Напряжение сток-исток | 600В |
Полярность | полевой |
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
Сопротивление в открытом состоянии | 190мОм |
Технология | CoolMOS™ |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Ток стока | 13.1А |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 500 |
Fall Time: | 4.5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 20.7 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-220FP-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | SP000216354 SPA2N6C3XK SPA20N60C3XKSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 34.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 87 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
Rise Time: | 5 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 67 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
Вес, г | 2.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 693 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов