IGW40N60H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 020 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 020 руб.
Описание
Электроэлемент
Транзистор: IGBT; биполярный; 600В; 80А; 306Вт; PG-TO247-3
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.95 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 80 A |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3XK SP000769926 |
| Pd - Power Dissipation | 306 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | IGW40N60 |
| Technology | Si |
| Unit Weight | 0.229281 oz |
| Pd - рассеивание мощности | 306 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | HighSpeed 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 6.13 |
Техническая документация
Datasheet IGW40N60H3
pdf, 1937 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
