IRGP4066D

Фото 1/2 IRGP4066D
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 900 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 900 руб.
Номенклатурный номер: 8002016241
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trench IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 454 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 20.7 mm
Длина 15.87 mm
Другие названия товара № SP001545048
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 140 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 400
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.31 mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 329 КБ
Datasheet irgp4066d
pdf, 316 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов