IGW40N120H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 450 руб.
от 2 шт. —
2 270 руб.
от 4 шт. —
2 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 450 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор БТИЗ IGW40N120H3 производства INFINEON относится к высокомощным IGBT транзисторам в корпусе PG-TO247-3, предназначенным для монтажа THT. Способен работать с током коллектора до 40 А и напряжением коллектор-эмиттер до 1200 В, что обеспечивает его мощностью в 483 Вт. Эти характеристики делают его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, включая преобразование энергии, управление двигателями и инверторные системы. Модель IGW40N120H3 обладает улучшенной эффективностью и надежностью, что значительно повышает производительность и долговечность вашего оборудования. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 40 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
| Мощность, Вт | 483 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.05 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IGW40N120H3FKSA1 IGW4N12H3XK SP000667510 |
| Pd - Power Dissipation | 483 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | HighSpeed 3 |
| Technology | Si |
| Tradename | TRENCHSTOP |
| Unit Weight | 1.340411 oz |
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 40A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer series | H3 |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 483W |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet IGW40N120H3FKSA1
pdf, 1889 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
