BU508AF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
800 руб.
от 2 шт. —
680 руб.
от 5 шт. —
602 руб.
от 10 шт. —
562.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор биполярный, стандартный
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO | 9 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 700 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 8 A |
Emitter- Base Voltage VEBO | 9 V |
Factory Pack Quantity | 300 |
Height | 14.7 mm |
Length | 26.7 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current | 8 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | ISOWATT-218FX-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 50000 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 1000V Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 15.7 mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 700 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 8 A |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 9 V |
Factory Pack Quantity: | 300 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current: | 8 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | ISOWATT-218FX-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 50 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 5.811 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 200 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.