IGB20N60H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 руб.
от 2 шт. —
630 руб.
от 3 шт. —
580 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 750 руб.
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Manufacturer | Infineon |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3XT SP000852232 |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | IGB20N60 |
| Technology | Si |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.95 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | IGB2N6H3XT SP000852232 IGB20N60H3ATMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| REACH - SVHC: | Details |
| Series: | HighSpeed 3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1358 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
