BSD235CH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
76 руб.
от 10 шт. —
58 руб.
от 100 шт. —
40.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSD235CH6327XTSA1 от INFINEON представляет собой качественный компонент с монтажом SMD, обладающий током стока 0,95 А, напряжением сток-исток 20 В и мощностью 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,415 Ом. Этот N+P-MOSFET транзистор заключен в компактный корпус PG-SOT-363|SOT363, что делает его идеальным выбором для разнообразных областей применения, где требуется высокая эффективность и надежность. Код товара BSD235CH6327XTSA1 подчеркивает его уникальность и обеспечивает легкость в поиске и заказе. С этим транзистором ваши проекты получат новый уровень производительности и качества. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N+P-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.95 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.415 |
| Корпус | PG-SOT-363, SOT363 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Fall Time | 1.2 ns, 3.2 ns |
| Forward Transconductance - Min | 2 S, 700 mS |
| Height | 4.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 950 mA, 530 mA |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSD235C BSD235CH6327XT H6327 SP000917610 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 340 pC, -400 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 266 mOhms, 745 mOhms |
| Rise Time | 3.6 ns, 5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSD235 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 4.5 ns, 5.1 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.8 ns, 3.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V, -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-12 V, +/-12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV, -1.2 V |
| Width | 9.25 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 950 mA, 530 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Qg - заряд затвора | 340 pC, - 400 pC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms, 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V, 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV, 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3.6 ns, 5 ns |
| Время спада | 1.2 ns, 3.2 ns |
| Высота | 4.4 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | BSD235C BSD235CH6327XT H6327 SP000917610 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 700 mS, 2 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSD235 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 4.5 ns, 5.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.8 ns, 3.8 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-SOT-363-6 |
| Ширина | 9.25 mm |
| Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 495 КБ
Datasheet BSD235CH6327XTSA1
pdf, 521 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
