BSD235NH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
75 руб.
от 10 шт. —
57 руб.
от 100 шт. —
40.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL N CH, 20V, 0.95A, SOT-363-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:950mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.266ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Volt
Технические параметры
| Transistor Polarity | Dual N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Case | SOT363 |
| Drain current | 0.95A |
| Drain-source voltage | 20V |
| Gate-source voltage | ±12V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.35Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.5W |
| Technology | OptiMOS™ 2 |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Документация
pdf, 502 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
