IPA086N10N3GXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 5 шт. —
313 руб.
от 6 шт. —
299.88 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPA086N10N3GXKSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа THT. Он обладает током стока 45 А и напряжением сток-исток 100 В, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. Этот транзистор имеет мощность 37,5 Вт и отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, всего 0,0086 Ом, что обеспечивает высокую эффективность. Упакованный в надежный корпус TO220FP, он гарантирует долговечность и стабильность работы. Для приобретения данного компонента, ищите артикул IPA086N10N3GXKSA1 в нашем каталоге. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 45 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 37.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0086 |
| Корпус | TO220FP |
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 45 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 8.6@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 37500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 42 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 42@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2990@50V |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 15.4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 37.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 FP |
| Series | OptiMOS 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Width | 4.85mm |
| Вес, г | 2.008 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
