IPP055N03LGXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
250 руб.
от 9 шт. —
217 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 620 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPP055N03LGXKSA1 от INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET, предназначенный для монтажа в отверстия (THT) на печатных платах. Он характеризуется током стока до 50 А и напряжением сток-исток 30 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Максимальная мощность устройства составляет 68 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0055 Ом способствует повышению эффективности. Транзистор упакован в прочный корпус PG-TO220-3-1, который облегчает установку и теплоотвод. Используя IPP055N03LGXKSA1 в своих электронных схемах, вы получаете надежный компонент от известного производителя INFINEON, предназначенный для работы в условиях высоких нагрузок. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 50 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 68 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0055 |
| Корпус | PG-TO220-3-1 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 50 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5.5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 68000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 31 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 31@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2400@15V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Qg - заряд затвора | 31 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 5.2 ns |
| Время спада | 4 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | IPP055N03L G SP000680806 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 38 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.7 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Base Product Number | IPP055 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250ВµA |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 68 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Package Type | TO-220 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Width | 4.57mm |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IPP055N03LGXKSA1
pdf, 322 КБ
Datasheet IPP055N03LGXKSA1
pdf, 729 КБ
Datasheet IPP055N03LGXKSA1
pdf, 323 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
