Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPP072N10N3GXKSA1

IPP072N10N3GXKSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

680 руб.

от 2 шт. — 560 руб.

от 3 шт. — 510 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 680 руб.

Номенклатурный номер: 8002024766

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой IPP072N10N3GXKSA1 от производителя INFINEON – высокомощный компонент для создания надежных и эффективных электронных схем. Данный N-MOSFET транзистор предназначен для монтажа в отверстия (THT), обеспечивая простоту интеграции в печатные платы. С током стока до 80 А и напряжением сток-исток 100 В, этот транзистор идеально подходит для управления большими нагрузками. Мощность устройства достигает 150 Вт, что позволяет использовать его в мощных источниках питания и коммутационных устройствах. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,0072 Ом минимизирует потери энергии и повышает эффективность работы устройства. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобную установку и хороший теплоотвод. Надежный и долговечный, IPP072N10N3GXKSA1 станет ключевым элементом в вашем проекте. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	80
Напряжение сток-исток, В	100
Мощность, Вт	150
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0072
Корпус	PG-TO220-3

Технические параметры

Automotive	Yes
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current - (A)	80
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	7.2@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	100
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Power Dissipation - (mW)	150000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~175
Packaging	Tube
Pin Count	3
Process Technology	Single
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	51
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	51@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	3690@50V
Id - непрерывный ток утечки	80 A
Pd - рассеивание мощности	150 W
Qg - заряд затвора	68 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	37 ns
Время спада	9 ns
Высота	15.65 mm
Длина	10 mm
Другие названия товара №	IPP72N1N3GXK SP000680830 IPP072N10N3GXKSA1
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	50 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	500
Серия	OptiMOS 3
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	37 ns
Типичное время задержки при включении	19 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.4 mm
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A)	80
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	7.2 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	150000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	Unknown
Product Category	Power MOSFET
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	9
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	51
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	51 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	3690 50V
Typical Rise Time (ns)	37
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	37
Typical Turn-On Delay Time (ns)	19
Maximum Continuous Drain Current	80 A
Maximum Drain Source Resistance	7.2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220
Series	OptiMOS 3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	51 nC @ 10 V
Width	15.95mm
Вес, г	2.8