IPP110N20N3GXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 260 руб.
от 2 шт. —
2 100 руб.
от 5 шт. —
1 990 руб.
от 10 шт. —
1 908.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 260 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPP110N20N3GXKSA1 от производителя INFINEON – надежный компонент для силовой электроники. Он имеет монтаж THT, что облегчает его установку на печатные платы. Транзистор способен управлять током стока до 88 А и выдерживает напряжение сток-исток до 200 В. С высокой мощностью в 300 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,011 Ом, этот N-MOSFET транзистор идеален для использования в высокопроизводительных схемах. Компактный корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобство монтажа и экономию места на плате. Приобретая IPP110N20N3GXKSA1, вы получаете продукт высокого качества для своих проектов. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 88 |
Напряжение сток-исток, В | 200 |
Мощность, Вт | 300 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.011 |
Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 1 N-Channel |
Factory Pack Quantity | 500 |
Fall Time | 11 ns |
Forward Transconductance - Min | 71 S |
Height | 15.65 mm |
Id - Continuous Drain Current | 88 A |
Length | 10 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | G IPP110N20N3 IPP110N20N3GXK SP000677892 |
Pd - Power Dissipation | 300 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 87 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 9.9 mOhms |
Rise Time | 26 ns |
RoHS | Details |
Series | XPP110N20 |
Technology | Si |
Tradename | OptiMOS |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
Width | 4.4 mm |
Base Product Number | IPP110 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 88A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100pF @ 100V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270ВµA |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
Fall Time: | 11 ns |
Forward Transconductance - Min: | 71 S |
Id - Continuous Drain Current: | 88 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IPP110N20N3 G SP000677892 |
Pd - Power Dissipation: | 300 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 87 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.9 mOhms |
Rise Time: | 26 ns |
Series: | OptiMOS 3 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | OptiMOS |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 88 A |
Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Power Dissipation | 300 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 3.184 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов