IPW60R070C6FKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 920 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 920 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPW60R070C6FKSA1 производства INFINEON является высокомощным N-MOSFET устройством, предназначенным для монтажа в отверстия печатных плат (THT). Этот полупроводниковый компонент характеризуется током стока 53 А и напряжением сток-исток до 600 В, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. Мощность устройства составляет 391 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,07 Ом, что обеспечивает эффективную работу и низкие энергетические потери. Транзистор упакован в надежный корпус PG-TO247, обеспечивающий долговечность и устойчивость к тепловым нагрузкам. Модель IPW60R070C6FKSA1 станет отличным выбором для силовых цепей, инверторов и преобразователей напряжения. Купите IPW60R070C6FKSA1 для повышения эффективности и надежности ваших электронных схем. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 53 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 391 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.07 |
| Корпус | PG-TO247 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 53 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 70@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 391000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | CoolMOS |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Supplier Package | TO-247 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 170 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 170@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3800@100V |
| Maximum Continuous Drain Current | 53 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 391 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Series | CoolMOS C6 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Width | 5.21mm |
| Вес, г | 7.919 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
