IRF3808S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 руб.
от 2 шт. —
690 руб.
от 5 шт. —
613 руб.
от 10 шт. —
573.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 75V, 106A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:106A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0059ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 106 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 7@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 75 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 200000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 150 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 150@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5310@25V |
| Вес, г | 2.26 |
Техническая документация
Документация
pdf, 264 КБ
Datasheet IRF3808SPBF
pdf, 309 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
