IRF4905L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 руб.
от 2 шт. —
710 руб.
от 5 шт. —
634 руб.
от 10 шт. —
593.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 840 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRF4905LPBF от производителя INFINEON - надёжный компонент для мощных схем. Монтируемый через отверстия (THT), этот N-MOSFET транзистор выдерживает ток стока до 74 А и напряжение между стоком и истоком 55 В, что делает его идеальным для высоконапряженных применений. С мощностью в 200 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,02 Ом, он обеспечивает эффективную работу с минимальными потерями мощности. Корпус TO262 гарантирует удобство монтажа и надёжность использования в различных устройствах. Обратите внимание на модель IRF4905LPBF, если вам требуется компонент с высокими рабочими характеристиками. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 74 |
| Напряжение сток-исток, В | 55 |
| Мощность, Вт | 200 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.02 |
| Корпус | TO262 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 42A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 42A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 74 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.8 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | I2PAK(TO-262) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Вес, г | 2.367 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
