IRF610
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
92 руб.
от 50 шт. —
73.71 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 2,1А, 36Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.3A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Крутизна характеристики S,А/В | 0.8 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1500 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 8.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.3 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220AB-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IRF610PBF-BE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 36 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Rise Time: | 17 ns |
| Series: | IRF |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 36 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 153 КБ
Datasheet
pdf, 131 КБ
IRF610 datasheet
pdf, 174 КБ
Документация
pdf, 275 КБ
Datasheet IRF610
pdf, 153 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
