IRF640NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
390 руб.
от 2 шт. —
290 руб.
от 5 шт. —
229 руб.
от 10 шт. —
204.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 390 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 200V, 18A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; P
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF640N
pdf, 345 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
