IRF840S

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию

4 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 рабочих дней
440 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Технические параметры
Brand | Vishay |
Количество элементов на ИС | 1 |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
Максимальное рассеяние мощности | 3.1 Вт |
Максимальное сопротивление сток-исток | 850 мΩ |
Максимальный непрерывный ток стока | 8 A |
Материал транзистора | Кремний |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
Номер канала | Поднятие |
Страна происхождения | CN |
Тип канала | N |
Тип корпуса | D2PAK(TO-263) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Типичный заряд затвора при Vgs | 63 нКл при 10 В |
Число контактов | 3 |
Ширина | 9.65мм |
Техническая документация
Datasheet IRF840SPBF
pdf, 116 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.