IRF9510S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
119 руб.
от 21 шт. —
104.96 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2.8A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissi
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Manufacturer | Vishay |
| Packaging | Tube |
| Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Qg - заряд затвора | 8.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Вес, г | 3.931 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 174 КБ
Документация
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
