IRFBF20S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 руб.
от 2 шт. —
550 руб.
от 5 шт. —
469 руб.
от 10 шт. —
435 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 660 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 1,1А, 54Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 32 ns |
| Height | 4.83 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 1.7 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263AB-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 Ohms |
| Rise Time | 21 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 56 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 9.65 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRFBF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 309 КБ
Документация
pdf, 329 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
