IRFD210
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
170 руб.
от 10 шт. —
143 руб.
от 72 шт. —
122.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Категория продукта
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,38А, 1Вт, DIP4
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
RoHS | Подробности |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 17 ns |
Время спада | 17 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Конфигурация | Single Dual Drain |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Vishay |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Типичное время задержки выключения | 14 ns |
Торговая марка | Vishay/Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | HexDIP-4 |
Qg - заряд затвора | 8.2 nC |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Количество каналов | 1 Channel |
Подкатегория | MOSFETs |
Серия | IRFD |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Base Product Number | IRFD210 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 600mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.10.00.80 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single Dual Drain |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.6 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1500@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.2(Max)@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.2(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 140@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
Typical Fall Time (ns) | 8.9 |
Typical Rise Time (ns) | 17 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.2 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Standard Package Name | DIP |
Pin Count | 4 |
Supplier Package | HVMDIP |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 3.37(Max) |
Package Length | 5(Max) |
Package Width | 6.29(Max) |
PCB changed | 4 |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current | 600 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | HVMDIP |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
Width | 6.29mm |
Вес, г | 0.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1703 КБ
Datasheet
pdf, 1677 КБ
Datasheet IRFD210PBF
pdf, 1712 КБ
Datasheet IRFD210PBF
pdf, 837 КБ
Datasheet IRFD210PBF
pdf, 1706 КБ
Документация
pdf, 1707 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов