IRFL014
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
98 руб.
от 100 шт. —
85.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание N-кан 60В 2,7A 3,1Вт 0,2Ом SOT223
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Dual Drain |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2.7 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 200@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 4 |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-223 |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 11(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 11(Max)@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 300@25V |
Typical Output Capacitance - (pF) | 160 |
Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Документация
pdf, 291 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов