Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFP360

IRFP360

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

560 руб.

от 2 шт. — 450 руб.

от 5 шт. — 395 руб.

от 10 шт. — 375.48 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002025906

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 14А, 280Вт, TO247AC Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	23A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	210nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	280W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 14A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	23 А
Тип корпуса	TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности	280 W
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	5.31мм
Высота	20.7мм
Размеры	15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	15.87мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	18 нс
Производитель	Vishay
Типичное время задержки выключения	100 нс
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	400 V
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	210 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	4500 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки	23 A
Pd - рассеивание мощности	280 W
Qg - заряд затвора	210 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	79 ns
Время спада	67 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	14 S
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	500
Серия	IRFP
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки при включении	18 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247AC-3
Крутизна характеристики S,А/В	13
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	200
Температура, С	-55…+150
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	23 A
Maximum Drain Source Resistance	200 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	400 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	280 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	210 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Время	задержки включения/выключения-79/67 нс
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Заряд затвора, нКл	210
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	400
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	23
Мощность	рассеиваемая(Pd)-280 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-2 В
Описание	MOSFET 400V N-CH HEXFET
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Вес, г	5.7