IRFU220N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
101 руб.
от 75 шт. —
81.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 5А, 43Вт, IPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1575 |
Fall Time | 12 ns |
Forward Transconductance - Min | 2.6 S |
Height | 6.22 mm |
Id - Continuous Drain Current | 5 A |
Length | 6.73 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-251-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 43 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 15 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 600 mOhms |
Rise Time | 11 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 6.4 ns |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 2.38 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 43 W |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 11 ns |
Время спада | 12 ns |
Высота | 6.22 mm |
Длина | 6.73 mm |
Другие названия товара № | SP001567710 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.6 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 6.4 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Ширина | 2.38 mm |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 5A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 43W |
Вес, г | 0.719 |
Техническая документация
Datasheet IRFU220NPBF
pdf, 230 КБ
Datasheet IRFU220NPBF
pdf, 226 КБ
IRFR220NPBF Datasheet
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов