IRG4BC30KD

Фото 1/3 IRG4BC30KD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
900 руб.
от 2 шт.770 руб.
от 3 шт.717 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 900 руб.
Номенклатурный номер: 8002026187

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор БТИЗ, 600В, 28А, 100Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.21 V
Configuration Single
Continuous Collector Current at 25 C 28 A
Continuous Collector Current Ic Max 28 A
Factory Pack Quantity 1000
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Height 8.77 mm(Max)
Length 10.54 mm(Max)
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 100 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Technology Si
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.69 mm(Max)
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRG4BC30KD Datasheet
pdf, 199 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов