IRG4PC40S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 820 руб.
от 2 шт. —
1 680 руб.
от 4 шт. —
1 580 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 820 руб.
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
Технические параметры
Brand | Infineon/IR |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 60 A |
Factory Pack Quantity | 25 |
Height | 20.3 mm |
Length | 15.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 160 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Width | 5.3 mm |
Вес, г | 7.228 |
Техническая документация
IRG4PC40SPBF
pdf, 631 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов