IRG4PC50U

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 170 руб.

от 2 шт. — 5 910 руб.

от 5 шт. — 5 610 руб.

от 6 шт. — 5 445.21 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 170 руб.

Номенклатурный номер: 8002026320

Электроэлемент

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz

Brand	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current at 25 C	55 A
Continuous Collector Current Ic Max	27 A
Factory Pack Quantity	25
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Height	20.7 mm(Max)
Length	15.87 mm(Max)
Manufacturer	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	200 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Technology	Si
Unit Weight	1.340411 oz
Width	5.31 mm(Max)
Вес, г	7.5

pdf, 147 КБ

Мы рекомендуем