IRG4PF50W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 810 руб.
от 2 шт. —
2 670 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 810 руб.
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHz
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 51A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 204A |
| Design Resources | IRG4PF50WPBF Saber ModelIRG4PF50WPBF Spice Model |
| Family | IGBTs-Single |
| Gate Charge | 160nC |
| IGBT Type | - |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Online Catalog | Standard IGBTs |
| Other Names | *IRG4PF50WPBF |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Bulk |
| Power - Max | 200W |
| Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Series | - |
| Standard Package | 25 |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 190µJ(on), 1.06mJ(off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/110ns |
| Test Condition | 720V, 28A, 5 Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet IRG4PF50WPBF
pdf, 648 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
