IPP029N06NAKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 руб.
от 2 шт. —
930 руб.
от 5 шт. —
843 руб.
от 10 шт. —
801.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 060 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPP029N06NAKSA1 производства INFINEON – это высокомощный N-MOSFET, предназначенный для монтажа в отверстия печатных плат (THT). С этим компонентом вы сможете управлять током стока до 100 А при напряжении сток-исток 60 В, что делает его идеальным для силовых применений. Мощность транзистора составляет 136 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 0,0029 Ом, обеспечивая высокую эффективность и минимальные потери мощности. Этот компонент заключен в надежный корпус PG-TO220-3, что обеспечивает его долговечность и стабильность работы в различных условиях. Приобретите IPP029N06NAKSA1 и убедитесь в надежности и эффективности вашего электронного устройства. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 136 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0029 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 24A(Ta), 100A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 30V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 136W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 100A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 75ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.3V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 136 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Width | 4.57mm |
| Вес, г | 3.184 |
Техническая документация
Документация
pdf, 560 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
