IRL2505S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
910 руб.
от 2 шт. —
790 руб.
от 5 шт. —
717 руб.
от 8 шт. —
678.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 910 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 55V, 104A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:104A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 104 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 8@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??16 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3800 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 130(Max)@5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5000@25V |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRL2505SPBF Datasheet
pdf, 292 КБ
Документация
pdf, 298 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
