BSS139H6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
95 руб.
от 10 шт. —
77 руб.
от 100 шт. —
58.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSS139H6327XTSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Он обладает током стока 0,1 А и напряжением сток-исток 250 В, что обеспечивает его широкое применение в различных электронных схемах. С мощностью 0,36 Вт и сопротивлением в открытом состоянии 30 Ом, этот транзистор гарантирует надежную работу и долговечность. Корпус SOT23 обеспечивает компактность компонента, что делает его идеальным выбором для миниатюризированных устройств. Используя BSS139H6327XTSA1 в своих проектах, вы получите высокую эффективность и стабильность в работе. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.1 |
| Напряжение сток-исток, В | 250 |
| Мощность, Вт | 0.36 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 30 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Depletion |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 6000 |
| Fall Time | 182 ns |
| Forward Transconductance - Min | 60 mS |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS139 BSS139H6327XT H6327 SP000702610 |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.8 Ohms |
| Rise Time | 5.4 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 29 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2.1 V |
| Width | 1.3 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Qg - заряд затвора | 2.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5.4 ns |
| Время спада | 182 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | BSS139 BSS139H6327XT H6327 SP000702610 |
| Канальный режим | Depletion |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.8 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Base Product Number | BSS139 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 76pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 100ВµA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SIPMOSВ® -> |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 56ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
