IRLR8259
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
220 руб.
от 10 шт. —
187 руб.
от 13 шт. —
176.40 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 25V, 57A, TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; P
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 57A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 13V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 48W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 21A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | D-Pak |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25ВµA |
Вес, г | 0.73 |
Техническая документация
IRLR8259PBF Datasheet
pdf, 368 КБ
Документация
pdf, 371 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов