IRF9362
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 2 шт. —
230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL P-CH, -30V, -8A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 8(A) |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 2 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | SOIC N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Polarity | P |
| Power Dissipation | 2(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF9362PBF datasheet
pdf, 302 КБ
Документация
pdf, 295 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
