IPB039N10N3GATMA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

950 руб.

от 2 шт. — 830 руб.

от 5 шт. — 754 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 950 руб.

Номенклатурный номер: 8002072192

Электроэлемент

Описание Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 160А, 214Вт, Ugs ±20В Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	160
Напряжение сток-исток, В	100
Мощность, Вт	214
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0039
Корпус	PG-TO263-7

Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Continuous Drain Current (Id)	160A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	3.9mΩ@100A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	3.5V@160uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	8.41nF@50V
Operating Temperature	-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	214W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	117nC@10V
Type	N Channel
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	160 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	PG-TSDSON-8
Вес, г	1.81

pdf, 666 КБ

Мы рекомендуем