BUZ30AH3045AATMA1
550 руб.
от 2 шт. —
440 руб.
от 5 шт. —
371 руб.
от 10 шт. —
343.98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 руб.
Описание
Электроэлемент
Транзистор МОП n-канальный, полевой, 200В, 21А, 125Вт, Ugs ±20В
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 90 ns |
| Forward Transconductance - Min | 6 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | BUZ30A BUZ30AH3045AXT H3045A SP000736082 |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | - |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
| Rise Time | 70 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Tradename | SIPMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 250 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
| Width | 4.4 mm |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
