BSS816NWH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
57 руб.
от 10 шт. —
40 руб.
от 100 шт. —
23.57 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSS816NWH6327XTSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. С током стока в 1,4 А и напряжением сток-исток 20 В, данный транзистор обеспечивает надежную работу в различных электронных устройствах. Его мощность составляет 0,5 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,24 Ом гарантирует эффективность и экономичность использования. Компактный корпус SOT323 позволяет интегрировать этот транзистор в ограниченные по размеру пространства без потери производительности. Купите BSS816NWH6327XTSA1 для вашего следующего проекта и получите надежный компонент с отличными характеристиками. Обратите внимание, что для заказа необходимо указать полный код товара BSS816NWH6327XTSA1 без пробелов и специальных символов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1.4 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.24 |
| Корпус | SOT323 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 12000 |
| Fall Time | 2.2 ns |
| Forward Transconductance - Min | 4.9 S |
| Height | 0.9 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 1.4 A |
| Length | 2 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS816NW BSS816NWH6327XT H6327 SP000917562 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 600 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 107 mOhms |
| Rise Time | 9 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSS816 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Width | 1.25 mm |
| Base Product Number | BSS816 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.75V @ 3.7ВµA |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.75V |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 2.5 V |
| Вес, г | 0.031 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSS816NWH6327XTSA1
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
